フォトリソグラフィーにおけるフッ化アルゴンの役割

最も重要な用途の 1 つは、フッ化アルゴン（ArF）エキシマレーザーは、半導体集積回路製造時のフォトリソグラフィーで使用されます。ArF レーザーの 193 ナノメートルの波長により、チップ コンポーネントのサイズが縮小するにつれて、より高いパターニング精度が可能になります。

• より高い解像度 – UV 波長が短いため、シリコン ウェーハ上に 45 ナノメートルまでのより小さな回路フィーチャをエッチングできます。

• 焦点深度の向上 – ArF 波長により、複雑な 3D パターニングに対してより広い焦点深度マージンも提供されます。

• より高速なエッチング – 193nm の光はフォトレジストによって強く吸収され、アブレーション エッチング速度がより効率的になります。

• 最小限の加熱 - ArF パルスアブレーションの低い熱効果により、フォトレジスト層への損傷を防ぎます。

• 汚染の低減 – より長い波長とは異なり、193nm の光はエッチング中に空気中の汚染物質を生成しません。

• より微細なレーザー制御 - 高度なビームデリバリーシステムが ArF レーザー光を導き、加工精度を最大化します。

エキシマ レーザーの精製では、フッ化アルゴン メディアがナノメートル スケール以上のシリコン パターニングをサポートすることで、マイクロチップ革命の実現に貢献しました。