Eine der wichtigsten Anwendungen vonArgonfluorid (ArF)Excimer-Laser werden in der Photolithographie bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen eingesetzt.Die Wellenlänge von 193 Nanometern des ArF-Lasers ermöglicht eine höhere Strukturierungspräzision, wenn die Chipkomponenten kleiner werden.
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Höhere Auflösung – Die kürzere UV-Wellenlänge ermöglicht das Ätzen kleinerer Schaltkreismerkmale bis zu 45 Nanometern auf Siliziumwafern.
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Verbesserte Schärfentiefe – Die ArF-Wellenlänge bietet auch größere Tiefenschärfenbereiche für komplexe 3D-Muster.
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Schnelleres Ätzen – Licht bei 193 nm wird von Fotolacken stark absorbiert, was zu effizienteren Ablationsätzraten führt.
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Minimale Erwärmung – Die geringen thermischen Effekte der gepulsten ArF-Ablation verhindern Schäden an Fotolackschichten.
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Reduzierte Kontamination – Im Gegensatz zu längeren Wellenlängen erzeugt 193-nm-Licht beim Ätzen keine Luftverunreinigungen.
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Feinere Lasersteuerung – Fortschrittliche Strahlführungssysteme leiten das ArF-Laserlicht für maximale Bearbeitungsgenauigkeit.
Mit der Excimer-Laser-Verfeinerung trugen Argonfluorid-Medien dazu bei, die Mikrochip-Revolution zu ermöglichen, indem sie die Strukturierung von Silizium im Nanometerbereich und darüber hinaus unterstützten.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 12. September 2023