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Die Rolle von Argonfluorid in der Photolithographie

 

Eine der wichtigsten Anwendungen vonArgonfluorid (ArF)Excimer-Laser werden in der Photolithographie bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen eingesetzt.Die Wellenlänge von 193 Nanometern des ArF-Lasers ermöglicht eine höhere Strukturierungspräzision, wenn die Chipkomponenten kleiner werden.

 

  • Höhere Auflösung – Die kürzere UV-Wellenlänge ermöglicht das Ätzen kleinerer Schaltkreismerkmale bis zu 45 Nanometern auf Siliziumwafern.

  • Verbesserte Schärfentiefe – Die ArF-Wellenlänge bietet auch größere Tiefenschärfenbereiche für komplexe 3D-Muster.

  • Schnelleres Ätzen – Licht bei 193 nm wird von Fotolacken stark absorbiert, was zu effizienteren Ablationsätzraten führt.

  • Minimale Erwärmung – Die geringen thermischen Effekte der gepulsten ArF-Ablation verhindern Schäden an Fotolackschichten.

  • Reduzierte Kontamination – Im Gegensatz zu längeren Wellenlängen erzeugt 193-nm-Licht beim Ätzen keine Luftverunreinigungen.

  • Feinere Lasersteuerung – Fortschrittliche Strahlführungssysteme leiten das ArF-Laserlicht für maximale Bearbeitungsgenauigkeit.

 

Mit der Excimer-Laser-Verfeinerung trugen Argonfluorid-Medien dazu bei, die Mikrochip-Revolution zu ermöglichen, indem sie die Strukturierung von Silizium im Nanometerbereich und darüber hinaus unterstützten.


Zeitpunkt der Veröffentlichung: 12. September 2023